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HL: Halbleiterphysik

HL 49: Postdeadline IV

HL 49.1: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 12:45–13:00, H4

Kathodolumineszenz- und Raman-Untersuchungen an lateral epitaktisch überwachsenden (ELO) GaN-Strukturen — •Frank Bertram1, T. Riemann1, D. Rudloff1, P. Veit1, J. Christen1, A. Kaschner2, A. Hoffmann2 und K. Hiramatsu31Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — 2Inst. f. FK-Physik, Techn. Uni. Berlin — 3Dep. of Engineering,Mie Uni., Japan

Wir berichten über eine systematische Charakterisierung

unterschiedlicher lateral epitaktisch überwachsender

GaN-Strukturen (ELOG) mittels

Rasterkathodolumineszenz-Mikroskopie (CL) und

µ-Raman-Spektroskopie.

Auf einem (0001)-Saphir-Substrat wurde durch MOCVD auf einer

AlN-Pufferschicht eine 2µm dicke GaN-Epischicht gewachsen,

mit SiO2-Masken strukturiert und abschließend mit

HVPE-GaN überwachsen. Verschiedene Streifengeometrien und

-orientierungen wurden untersucht. Für die

<1120>-Orientierung tritt eine {1101}-Facettierung auf.

An den Koaleszenzstellen tritt eine starke Rotverschiebung

der CL auf, deren extrinsicher Charakter durch µ-Raman bestätigt

wird. Über den offenen Streifen bilden sich selbstlimitierte

dreieckige Wachstumsprismen aus, die eine extrem scharfe exzitonische

Lumineszenz korreliert mit niedriger Störstellenkonzentration

zeigen.

In <1100>-Orientierung tritt ein vollständiges Überwachsen

der SiO2-Streifen und Oberflächenglättung auf.

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