Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.31: Poster
Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula
Adsorption von Gruppe-III-Elementen auf Si-terminierten-(111)-SiC-Oberflächen — •Ulrike Grossner, Jürgen Furthmüller und Friedhelm Bechstedt — Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Max-Wien-Platz 1, D–07743 Jena
Die Adsorption von Gruppe-III-Elementen auf Siliziumkarbidoberflächen, hier von Bor und Aluminium, wird im Rahmen der Dichtefunktional-Theorie in Lokaldichtenäherung untersucht. Wir verwenden hierfür nicht-normerhaltende ultrasofte Vanderbilt-Pseudopotentiale. Die schon bei der Adsorption auf Silizium beobachteten Strukturen erweisen sich auch hier als energetisch günstig: Al adsorbiert bevorzugt in einer T4-Struktur auf der Oberfläche, während B einen Platz (S5) unterhalb der obersten Oberflächenlage einnimmt. Desweiteren ist hier eine leichte Verzerrung der oberen Lage zu erkennen, die evtl. zu einer Drehung der Si-Orbitale führt. Wir präsentieren Ergebnisse zur Geometrie, elektronischen Sruktur und zu Oberflächendipolen.