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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.39: Poster

Monday, March 22, 1999, 19:30–22:30, Aula

PHOTOELEKTRISCHE OBERFLÄCHENEIGENSCHAFTEN VON
REKONSTRUIERTEM 6H-SiC(0001) — •R. Meyer und H. Merz — Physikalisches Institut der Universität Münster

Die besonderen elektronischen Eigenschaften von Siliziumkarbid ermöglichen nicht nur einen Einsatz unter extremen Betriebsbedingungen (Hochleistungs- und Hochtemperaturbauelemente), sondern lassen auch eine Verwendung in außergewöhnlichen Betriebsumgebungen zu. Aufgrund seiner ausgeprägten Biokompatibilität stellt SiC ein interessantes Material für die biomedizinische Technik dar. UP-Photoemissionsspektren (Ne I) von rekonstruierten SiC(0001)-Oberflächen werden mit und ohne Zusatzlicht (hν=1.4⋯ 6.6 eV) beobachtet. In PE-Spektren von SiC(0001)-(1×1) werden Volumenstrukturen nachgewiesen. Zusätzliche Oberflächenstrukturen werden an SiC(0001)-(3×3) sichtbar. Energetische Verschiebungen und relative Intensitätsabnahmen in den Spektren der 1×1- und 3×3-rekonstruierten Oberflächen unter Zusatzbeleuchtung führen zu Aussagen über Oberflächenphotospannung, -bandverbiegung, -rekombination und Fermi-level pinning. Der Einfluß des Zusatzlichtes wird systematisch für unterschiedliche Rekonstruktionen, Intensitäten des eingestrahlten Lichtes und Photonenenergien untersucht und diskutiert. Konsequenzen für die Biokompatibilität werden dargestellt.