Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: Nanostrukturen

O 22.12: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:15–17:30, S1

Wachstum und Eigenschaften von Nanostrukturnetzwerken auf ”perfekten” Oberflächen — •R. Adelung, J. Brandt, L. Tarcak, M. Traving, C. Kreis, L. Kipp und M. Skibowski — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel

Es wird ein Verfahren zur Bildung von Netzwerken mit einer Gesamtausdehnung im Zentimeterereich vorgestellt. Sie bestehen aus 5-250nm dicken Drähten bei einer typische Maschenweite im Mikrometerbereich. Der Einfluß der verwendeten Substrate, Kristalle aus Übergangsmetalldichalkogeniden, die selbst über viele Mikrometer keine Stufenkanten aufweisen, wird diskutiert. Es werden verschiedene Ausprägungen der Netzwerke von einfachen quasi-hexagonalen bis zu völlig ungeordneten und fraktalartigen Strukturen beobachtet. Untersuchungen mit Rastertunnelmikroskopie, Elektronenbeugung und Photoemissionstechniken sowie Messungen zur Leitfähigkeit zeigen Phänomene von Quantenchaos in Potentialtöpfen bis zu Sprüngen in der elektrischen Leitfähigkeit, die während des Wachstums der Drähte im Ultrahochvakuum auftreten.