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Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.33: Poster

Thursday, March 25, 1999, 20:00–22:30, Zelt

Auswirkungen von Elektronenbeschuß auf die Morphologie von CaF2-Oberflächen — •Robert Kayser, Andreas Klust und Joachim Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover

Für die Herstellung resonanter Tunnelbauelemente ist es notwendig, Abfolgen von Isolator- und Metallschichten zu erzeugen, die jeweils nur wenige Lagen dick sein dürfen. Aufgrund seiner geringen Gitterfehlanpassung zu Si ist als Isolator CaF2 gut geeignet. Wegen seiner geringen Oberflächenenergie wird CaF2 von Metallen jedoch nicht benetzt, sondern es kommt zu 3D-Inselwachstum. Eine Möglichkeit, eine stärkere Bindung zwischen Metall und CaF2 zu erzielen, ist, die oberste F-Schicht durch elektronenstimulierte Desorption (ESD) zu entfernen und freie Ca-Bindungen zu erzeugen.
Im dargestellten Experiment wurden auf eine Si(111)-Oberfläche fünf Tripellagen CaF2 aufgebracht. Diese Schicht wurde bei verschiedenen Temperaturen mit Elektronen im Energiebereich 100-600 eV beschossen. Die Auswirkungen des Elektronenstrahls auf die Morphologie der CaF2-Oberfläche wurden mittels Rasterkraftmikroskopie analysiert. Es zeigt sich, daß sich Ca-Cluster und Löcher bilden, deren Größe und Anzahl von Energie und Dosis der Bestrahlung abhängen.

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