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SYNK: Symposium Nanokristalline Materialien - Struktur und elektronische Eigenschaften

SYNK VIII: HV VIII

SYNK VIII.1: Hauptvortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 18:00–18:30, H3

Nanokristalline Si/SiO2 Übergitter – Ein Weg zu leuchtendem Silizium? — •M. Zacharias — Institut für Experimentelle Physik, Abteilung Festkörperphysik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, PF 4120, D-39016 Magdeburg

Licht-emittierende Filme und Bauelemente herzustellen mit Methoden kompatibel zur Standard-Siliziumtechnologie, ist eine faszinierende Idee. Doch obwohl erste LED’s auf der Basis von porösem Si realisiert wurden, stehen einer kommerziellen Nutzung vielfältige Probleme entgegen. Nach einer Zusammenfassung der strukturellen und optischen Eigenschaften von ungeordneten Ge Nanokristallen in amorpher SiOx Matrix wird ein Überblick über die Herstellung und Kristallisation von amorphen Si/SiO2 Übergitterstrukturen gegeben. Der Einfluß der Lagendicke auf die Kristallisationstemperatur und die Kristallitgröße wird demonstriert. Umfangreiche Untersuchungen zeigen Wege zur strukturellen Optimierung und zur Erzeugung geordneter nanokristalliner Si Strukturen auf. Die Lumineszenzeigenschaften werden diskutiert und der Einfluß einer Postoxidation auf die Lumineszenz wird gezeigt. Erste Ergebnisse zur Dotierung der Übergitterstruktur werden berichtet.

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