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Münster 1999 – scientific programme

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SYST: Symposium Spinabhängiger Transport

SYST III: HV III

SYST III.1: Invited Talk

Tuesday, March 23, 1999, 10:30–11:00, F5

Spinpolarisiertes Tunneln: Grundlagen, Materialien und Anwendungen — •G. Güntherodt — 2. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, 52056 Aachen

Der quantenmechanische Tunneleffekt für spinpolarisierte Elektronen findet derzeit erhöhte Aufmerksamkeit hinsichtlich der Anwendung in magnetoresistiven Speicherelementen (MRAMs = magnetic random access memories), die auf dem Riesenmagnetowiderstands-Effekt austauschgekoppelter magnetischer Schichten mit Stromfluss senkrecht zur Schichtebene beruhen. Die Proportionalität des Tunnelmagnetowiderstands zur Spinpolarisation P der beiden magnetischen Schichten erfordert neben einer optimierten und reproduzierbaren Herstellung der Tunnelbarrieren auch hohe Spinpolarisationswerte. Das derzeitige Forschungsinteresse konzentriert sich auf die Abhängigkeit von P von der elektronischen Struktur und den Grenzflächeneigenschaften der Schichten sowie von den Temperbedingungen der Tunnelkontakte. Alternative Konzepte basieren auf den sogen. halbmetallischen Ferromagneten, wie z.B. CrO2, Fe3O4 oder NiMnSb, für die hohe Werte von P an der Fermienergie theoretisch vorausgesagt wurden. Der Vortrag gibt einen Überblick des gegenwärtigen Stands der Forschung auf diesem aktuellen Gebiet der Magnetoelektronik.

Unterstützt durch BMBF 13N7329 und DFG / SFB 341, unter Mitarbeit von U. May, J. Dreßen, D. Dahmen, M. Bamming, M. Rabe, H. Vonberg, H. Kittur, P. Miltényi, M. Gierlings, F. Nouvertné, U. Korte und U. Rüdiger.

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