Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 20: Metall-Isolator-Überg
änge

TT 20.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–15:00, F2

Metall-Isolator Phasenübergang in zwei Dimensionen — •G. Brunthaler¹, V.M. Pudalov², A. Prinz¹ und G. Bauer¹ — ¹Institut für Halbleiterphysik, Johannes Kepler Universität, A-4040 Linz, Österreich — ²Lebedev Research Center in Physics, 117924 Moscow, Russia

Die Entdeckung des Metall-Isolator Phasenüberganges in zwei-dimensionalen Halbleitersystemen hat ein großes Interesse hervorgerufen, da allgemein angenommen wurde, da ß bei tiefen Temperaturen alle Zustände lokalisiert sind. Im Jahre 1979 wurde von Abrahams et al. gezeigt, da ß für nicht wechselwirkende 2D Elektronen schon eine schwache Unordnung genügt, um die Elektronen bei T = 0 zu lokalisieren. Dies wurde tatsächlich durch eine große Anzahl von Untersuchungen bestätigt und die Lokalisierung der Elektronen in allen 2D-Systemen wurde kaum in Frage gestellt. Der Metall-Isolator Übergang in zwei Dimensionen wurde erstmalig in Si-MOS beobachtet, wo bei Temperaturen von ca. 1 K der spezifische Widerstand um einen Faktor 6 abfällt. Der Effekt wurde in der Folge auch in n- und p- Si/SiGe und in n- und p-AlGaAs beobachtet, wo er aber schwächer ausgeprägt ist. Es wurde gezeigt, da ß der metallische Zustand durch ein paralleles Magnetfeld zerstört werden kann und da ß das System nicht durch eine ein-Parameter Skalenfunktion beschrieben werden kann. Für den Metall-Isolator Übergang in zwei Dimensionen konnte bisher noch keine vollständige Theorie entwickelt werden.