Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)

TT 21.41: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Entwicklung eines Strahlungsheizers für großflächige HTSL-Beschichtungen mittels DC-Hochdrucksputtern — •M. Getta, A. Cassinese, M.A. Hein, Th. Kaiser, G. Müller, H. Piel und J. Pouryamout — Bergische Universität Wuppertal, Fachbereich Physik, Gaußstr. 20, 42 097 Wuppertal

Das planare DC-Hochdrucksputterverfahren erfordert zur Deposition von YBa₂Cu₃O_7−δ-Filmen mit guten supraleitenden Eigenschaften Substrattemperaturen bis zu 790^∘C. Dies kann mit Kontaktheizern bei Kerntemperaturen von 930^∘C erreicht werden, für doppelseitige Beschichtungen mit Quarzglasplatte zwischen Substrat und Heizfläche werden 1000^∘C benötigt. Diese hohen Temperaturen können mit Kontaktheizern homogen über größere Flächen nicht problemlos erreicht werden.
Als Alternative für großflächige Beschichtungen wurde daher ein Strahlungsheizer aufgebaut und getestet, der aus einer 98 × 110 mm großen Si/SiC-Mäander in einem zum Substrat offenen Hitzeschildsystem besteht. Mit Si dotiertes SiC zeichnet sich durch seine hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit aus, daher können Temperaturen bis zu 1200^∘C homogen über die Bahnen der Mäander erreicht werden. Der Heizer ist für die Beschichtung von Wafern bis zu Ø 4 Zoll ausgelegt.
Pyrometrischen Messungen der Mäander- und Substrattemperaturen werden ebenso vorgestellt wie in-situ Messungen der Filmwachstumstemperaturen. Hieraus berechnete Kompensationsfunktionen ermöglichen konstante Wachstumsbedingungen trotz der sich aufgrund des Schichtwachstums ändernden thermischen Ankopplung. Neben induktiven Eigenschaften der so hergestellten YBCO-Filme werden erste Ergebnisse eines in-situ verfahrbaren Saphirresonators zur lokalen Messung der Temperatur- und Feldstärkeabhängigkeit des Oberflächenwiderstandes R_s gezeigt.