HL 11: SiC
Montag, 27. März 2000, 16:30–19:00, H14
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16:30 |
HL 11.1 |
Komplexbildung intrinsischer Punktdefekte in SiC — •E. Rauls, Th. Lingner, Z. Hajnal, A. Gali, P. Deák, Th. Frauenheim, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
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16:45 |
HL 11.2 |
Diffusion in SiC: Die Rolle von Leerstellen und interstitials — •Alexander Mattausch, Michel Bockstedte und Oleg Pankratov
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17:00 |
HL 11.3 |
Bor in SiC: ein metastabiler Akzeptor — •Michel Bockstedte, Alexander Mattausch und Oleg Pankratov
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17:15 |
HL 11.4 |
Reaktivierung von Wasserstoff-passivierten Al Akzeptoren in SiC: Experimente und Simulation — •Christian Hülsen, Norbert Achtziger, Jan Herold und Wolfgang Witthuhn
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17:30 |
HL 11.5 |
Photoemissionsuntersuchungen an Silikat Adlagen auf 6H- SiC — •N. Sieber, M. Hollering, M. Stammler, J. Ristein und L. Ley
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17:45 |
HL 11.6 |
Sublimationszüchtung von 15R-SiC Volumenkristallen — •N. Schulze, D. L. Barrett, M. Weidner, G. Pensl, S. Rohmfeld und M. Hundhausen
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18:00 |
HL 11.7 |
Homoepitaktisches CVD-Epitaxieschichten auf einkristallinen Kugeln aus 6H SiC — •K. Christiansen, K. Schneider, S. Christiansen, H. P. Strunk und R. Helbig
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18:15 |
HL 11.8 |
Tantal und Wolfram in SiC: Identifikation tiefer Störstellen mittels Radiotracer-DLTS — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Gunnar Pasold, Rainer Sielemann und Wolfgang Witthuhn
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18:30 |
HL 11.9 |
Oxidation von verspannten SiGeC-Schichten auf Si(100)-Substrat. — •K. Pressel, M. Franz, A. Cuardas, B. Garrido, C. Bonafos, J. R. Morante und L. Fonseca
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18:45 |
HL 11.10 |
Wechselwirkung von molekularem Brom mit SiC(0001)-Oberflächen — •S. Glass, H. Nienhaus und W. Mönch
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