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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC

Monday, March 27, 2000, 16:30–19:00, H14

16:30 HL 11.1 Komplexbildung intrinsischer Punktdefekte in SiC — •E. Rauls, Th. Lingner, Z. Hajnal, A. Gali, P. Deák, Th. Frauenheim, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
16:45 HL 11.2 Diffusion in SiC: Die Rolle von Leerstellen und interstitials — •Alexander Mattausch, Michel Bockstedte und Oleg Pankratov
17:00 HL 11.3 Bor in SiC: ein metastabiler Akzeptor — •Michel Bockstedte, Alexander Mattausch und Oleg Pankratov
17:15 HL 11.4 Reaktivierung von Wasserstoff-passivierten Al Akzeptoren in SiC: Experimente und Simulation — •Christian Hülsen, Norbert Achtziger, Jan Herold und Wolfgang Witthuhn
17:30 HL 11.5 Photoemissionsuntersuchungen an Silikat Adlagen auf 6H- SiC — •N. Sieber, M. Hollering, M. Stammler, J. Ristein und L. Ley
17:45 HL 11.6 Sublimationszüchtung von 15R-SiC Volumenkristallen — •N. Schulze, D. L. Barrett, M. Weidner, G. Pensl, S. Rohmfeld und M. Hundhausen
18:00 HL 11.7 Homoepitaktisches CVD-Epitaxieschichten auf einkristallinen Kugeln aus 6H SiC — •K. Christiansen, K. Schneider, S. Christiansen, H. P. Strunk und R. Helbig
18:15 HL 11.8 Tantal und Wolfram in SiC: Identifikation tiefer Störstellen mittels Radiotracer-DLTS — •Norbert Achtziger, Joachim Grillenberger, Gunnar Pasold, Rainer Sielemann und Wolfgang Witthuhn
18:30 HL 11.9 Oxidation von verspannten SiGeC-Schichten auf Si(100)-Substrat. — •K. Pressel, M. Franz, A. Cuardas, B. Garrido, C. Bonafos, J. R. Morante und L. Fonseca
18:45 HL 11.10 Wechselwirkung von molekularem Brom mit SiC(0001)-Oberflächen — •S. Glass, H. Nienhaus und W. Mönch
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