Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.13: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Herstellung und elektrische Charakterisierung von zweidimensionalen Elektronengasen in CdS/ZnSe Heterostrukturen — •M. Dremel, M. Grün, E. Kurtz, M. Schmidt und C. Klingshirn — Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe,D–76128,Karlsruhe
Das Quantentrogmaterial CdS wurde einerseits mit einer Verbindungsquelle gewachsen, andererseits wurden zum Vergleich Schwefel- und Cadmium -Elementquellen verwendet. Das ZnSe - Barrierenmaterial ist in beiden Fällen mit Elementquellen realisiert worden. Bei Wachstumstemperaturen die 80oK unterhalb der idealen Wachstumstemperatur von ZnSe liegen, konnte für das Trogmaterial (CdS) und auch für das Barrierenmaterial (ZnSe) ein Frank van der Merwe Wachstum erreicht werden. Die Qualität der Heterostrukturen wurde durch Photolumineszenzmessungen gesichert. Es ergaben sich bei Trogbreiten von drei Monolagen Halbwertsbreiten von 18meV, was auf eine geringe Trogbreitenvariation hinweist. Durch Modulationsdotierung der ZnSe - Barrieren mit Chlor wurden 2D Elektronengasstrukturen gewachsen Mittels Halleffektmessungen in der Van der Paw Geometrie sind an diesen Strukturen temperaturabhängig die elektrischen Eigenschaften des zweidimensionalen Elektronengases bestimmt worden.