Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I: Quanten Hall Effekt (1-9), II-VI Halbleiter (10-17), Epitaxie (18-23), Quantenpunkte und -dr
ähte (24-50), Photonik (51-59), Metall-Isolator Übergang (60-64), Si/Ge (65-67), Elektronentheorie (68-69), Amorphe Halbleiter, Ionen-Implantation
HL 12.24: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:00–19:00, A
Einfluß dünner AlAs-Barrieren auf die optischen Eigenschaften selbstorganisierter InAs/GaAs-Quantenpunkte — •Markus Arzberger, Ulrich Käsberger, Gerhard Böhm und Gerhard Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching, Germany
Aufgrund von In-Segregation und Interdiffusion können selbst nominell reine InAs-Quantenpunkte in beträchtlichem Umfang Ga enthalten. Daher untersuchen wir den Einfluß sehr dünner, nur einige Monolagen dicker AlAs-Schichten direkt vor und nach der InAs-Deposition auf die optischen Eigenschaften der selbstorganisierten Quantenpunkte in Abhängigkeit der MBE-Wachstumstemperatur TS mittels Photolumineszenz.
Wir beobachten bei TS=480∘C eine Blauverschiebung der Photolumineszenz, wenn die InAs-Quantenpunkte vor dem Überwachsen mit GaAs mit einer drei Monolagen dicken AlAs-Schicht bedeckt werden. Dies wird auf die Erhöhung der Potentialbarriere zurückgeführt. Dagegen bewirkt das Einbringen dieser AlAs-Deckschicht bei TS=530∘C eine Rotverschiebung. Dies deutet daraufhin, daß während des Überwachsens der InAs-Quantenpunkte mit GaAs bei TS=530∘C in erheblichem Umfang In segregiert und daß die AlAs-Deckschicht diese In-Segregation zumindest teilweise unterbindet.