Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.11: Talk

Tuesday, March 28, 2000, 17:30–17:45, H13

Schottky-Kontakte auf GaN mit N- und Ga-face Polarität — •Uwe Karrer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann — Technische Universität München, Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching

Eine vielversprechende Anwendung von Nitridverbindungen der Gruppe III sind UV-Detektoren, die zur Überwachung und Regelung von Kohlenwasserstoffbrennern, zur Messung der Sonnenstrahlung und deren Wirkung auf die menschliche Haut und in der Dosimetrie von Ozon verwendet werden können. Neben UV–Photoleitern sind hierbei insbesondere AlGaN-Schottky-Dioden von Interesse.

Sowohl GaN- als auch AlGaN-Schichten wurden zu Schottky-Dioden prozessiert, wobei für den Metall-Halbleiter-Kontakt Pt, Au, Ni und Pd Verwendung fand. Unser Augenmerk lag dabei auf dem Vergleich der IU-Charakteristik und der sich daraus ergebenden Barrierenhöhe von GaN mit unterschiedlicher Polarität, welche sich z. B. in unterschiedlichen Oberflächenrekonstruktionen, Oberflächendefekten und Bindungsverhältnissen widerspiegelt. Die Ergebnisse werden mit CV-Messungen verglichen. Die spektrale Empfindlichkeit der untersuchten Schottky-Dioden erhöht sich signifikant bei Verwendung semitransparenter Kontakte und zeigt einen Abfall hin zu großen Wellenlängen um mehr als sechs Größenordnungen im Vergleich zum Empfindlichkeitsmaximum.