Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: GaN I

HL 19.8: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 16:45–17:00, H13

Evolution des MOVPE-Wachstums von GaN bei athmosphärischem Druck — •S. Figge¹, T. Böttcher¹, S. Einfeldt¹, V. Kirchner¹, H. Heinke¹, D. Hommel¹, H. Tran² und P. Ryder² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen — ²Institut für Werkstoffphysik und Strukturforschung, Universität Bremen

Das Wachstum von GaN wurde bei athmosphärischem Druck in der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) in einem vertikalen “Close Spaced Showerhead Reaktor” unter weiter Variation des Parameterraumes untersucht. Besonderes Augenmerk wurde hierbei auf den GaN-Niedrigtemperaturpuffer gelegt, dessen Morphologie vor und nach der Rekristallisation bei hohen Temperaturen den entscheidenden Einfluss auf die kristalline Qualität der Epischichten hat. Hierzu wurden Puffer bei verschiedenen Temperaturen unter Variation der Flüsse gewachsen. Wie sich in der atomaren Rasterkraftmikroskopie zeigt, nimmt die Korngröße mit steigender Wachstumsrate und sinkendem III/V Flußverhältnis ab. Die anschließende Rekristallisation bei hohen Temperaturen führt zur Bildung größerer hexagonaler Kristallite, deren Dichte von der Nitridierung des Saphirs abhängt. Die Evolution des Wachstums der auf diesen Puffern abgeschiedenen Epischichten wurde mit Hilfe von in-situ Reflexionsmessungen kontrolliert und mit den anschließend bestimmten Morphologie und Defektdichte der Schichten korreliert.