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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.22: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Implantationsinduzierte Generation von Defekten in hexagonalem Galliumnitrid — •A. Krtschil¹, A. Kielburg¹, M. Lisker¹, H. Witte¹, A. Krost¹, J. Christen¹, A. Wenzel² und B. Rauschenbach² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — ²Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Am Beispiel von molekularstrahlepitaktisch gewachsenen Galliumnitridschichten auf (0001)- Saphirsubstrat wird gezeigt, wie sich eine Implantation mit höherenergetischen Stickstoff- und Gallium- Ionen auf den Störstellenhaushalt der Halbleiterschicht auswirkt. Für die dabei auftretende Generation von intrinsischen Defektzuständen wird systematisch der Einfluß der verwendeten Implantationsparameter (Art, Dosis und Energie der Ionen) auf die Stärke der Defektbildung beziehungsweise die Ausbildung bestimmter Defektarten untersucht. Die Störstellen werden innerhalb einer Schottky-Raumladung auf dem GaN mit verschiedenen thermischen Nachweisverfahren wie z.B. der DLTS und der thermischen Admittanzspektroskopie im Temperaturintervall von 80K bis 400K charakterisiert. Ergänzt werden diese Untersuchungen durch optische Admittanzmessungen, die den Nachweis von Ladungsträgerübergängen aus Störstellen in die jeweiligen Bänder im Energiebereich zwischen 3.5eV und 0.4eV ermöglichen. Mit solchen photoelektrischen Untersuchungen ließ sich beispielsweise für den Stickstoff-Vakanz-Defekt eine energetische Lage von 53meV unterhalb des Leitungsbandes ableiten.