Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.27: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Untersuchungen zu Polarität und Ätzverhalten von GaN — •Gudrun Henn¹, Torsten Rupp¹, Michael Gross¹, Jens Stemmer², Hao Zhou³, Helmut Schröder¹, Jochen Aderhold² und Jürgen Graul² — ¹DLR, Institut für Technische Physik, Stuttgart — ²Laboratorium für Informationstechnologie, Universität Hannover — ³MPI für Metallforschung, Stuttgart

Epitaktische GaN- Schichten auf Saphir und SiC, gewachsen mit MBE

und LIRE (Laserinduzierte reaktive Epitaxie), wurden mit 10% KOH

geätzt um die Polarität zu bestimmen.

Die Ergebnisse wurden durch CBED Untersuchungen bestätigt.

Durch das Ätzen verursachte Veränderungen der Oberflächen-

Morphologie wurden mit REM und AFM untersucht, und so Einsichten

in die jeweils vorherrschenden Wachstums - Regime gewonnen.

Vorhandene Unterschiede im Wachstum beeinflussen zudem die Katho-

dolumineszens vor und nach dem Ätzen.