Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.41: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmassen von InAs und InSb aus Messung der Magneto-Phonon-Resonanz und Einflußverschiedener Näherungen der Nichtparabolizität. — •Carsten Brink, Stefan Krull und Detlef Schneider — Inst. f. Technische Physik und Hochmagnetfeldanlage, TU Braunschweig
Das Leitungsband von InAs und InSb ist sehr stark nichtparabolisch (NP). In der Literatur werden verschiedene NP-Näherungen benutzt, um aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz (MPR) die Bandkantenmasse m0∗ zu ermitteln [1],[2],[3],[4]. Der Einflus dieser Näherungen auf die Auswertung von MPR-Messungen an InAs und InSb zwischen ca. T = 50 und 360 K wird untersucht. Die aus optischen Untersuchungen erwartete starke Temperaturabhängigkeit von m0∗ ergibt sich nur, wenn die Resonanzstreuung der Elektronen durch LO-Phononen bis zu Landau-Niveaus ausreichend hoher Quantenzahlen berücksichtigt wird.
[1] R. A. Stradling and R. A. Wood, J. Phys C : Solid State Phys. 1, 1711 (1968)
[2] K. Kasai, T. Shirakawa and Ch. Hamaguchi, J. Phys. Soc. (Japan) 44, 216 (1978)
[3] Yu. A. Firsov, V. L. Gurevich and R. V. Parfeniev, in G. Landwehr, E. I. Rashba (Eds.), Landau Level Spectroscopy, Elsevier, Amsterdam, 1991, pp. 1182-1302
[4] D. Schneider, C. Brink, G. Irmer and P. Verma, Physica B 256 - 258, 625-628 (1998)