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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.38: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Entwicklung der Topographie von InP-Oberflächen beim Ar-Sputtern: Skalierungsverhalten und Enstehung periodischer Nanometerstrukturen — •Frank Frost, Axel Schindler und Frieder Bigl — Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig
Die Entwicklung der Oberflächentopographie von InP beim
Ar-Sputtern mit permanenter Probenrotation wurde in
Abhängigkeit des Ioneneinfallswinkels, der Ionenenergie, der
Ionenestromdichte und Ionendosis mittels
Rasterkraftmikroskopie charakterisiert.
Für bestimmte Sputterbedingungen kann man die Ausbildung nahezu
exakt hexagonal angeordneter Hügel (hillocks) mit einer Ausdehnung
λ < 100 nm beobachten. Die Enstehung dieser periodischen
Oberflächenstrukturen läßt sich qualitativ, jedoch nicht
quantitativ, mit Hilfe der Bradley-Harper-Theorie erklären.
Durch eine detaillierte Analyse der örtlichen und zeitlichen
Entwicklung der Oberflächenrauheit (rms-Rauheit: σ) wurde das
Skalierungsverhalten der charakteristischen Kenngrößen
(σ ∝ Lα, σ ∝ tβ,
λ ∝ tz) bestimmt. Die so erhaltenen Skalierungsgesetze
zur Beschreibung der Oberflächentopographie beim Ar-Sputtern von InP
werden unter Verwendung von in letzter Zeit vorgeschlagenen
verallgemeinerten nichtlinearen Theorien zur Entwicklung der
Oberflächentopographie beim Ionenstrahlsputtern diskutiert.