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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Quantendr
ähte

HL 9.7: Talk

Monday, March 27, 2000, 18:00–18:15, H15

Photolumineszenz- und Transportuntersuchungen heißer Elektronen in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantendrähten in V-Gräben — •A. Schwarz¹, A. Kaluza¹, Th. Schäpers¹, H. Hardtdegen¹, H. Lüth¹, A.C. Maciel², J. Kim², E. O’Sullivan² und J.F. Ryan² — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich — ²Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford

Wir berichten über die aktuellen Fortschritte in der Herstellung von modulationsdotierten Halbleiter-Quantendrähten durch Wachstum auf V-förmig vorstrukturierten Substraten. Durch Wahl geeigneter Wachstumsparameter konnte erstmalig ein starkes laterales Einschlußpotential mit Subbandabständen über 40 meV in Photolumineszenzspektren beobachtet werden. Vergleichende Analysen mit Hilfe einer selbstkonsistenten zweidimensionalen Schrödinger-Poisson-Berechnung bestätigen zudem die experimentell beobachtete Anzahl der besetzten Sublevel. Bei ausreichender Dotierung ist eine ausgeprägte Singularität nahe der Fermi-Energie zu beobachten, die auf ein hochqualitatives eindimensionales elektronisches System hinweist. Weiterführende Untersuchungen unter Einfluß eines äußeren elektrischen Feldes geben klare Hinweise auf LO-Phonon-Streumechanismen der heißen Ladungsträger, sowie auf einen örtlichen Elektronentransfer von dem eindimensionalen Draht in die angrenzenden quasi-zweidimensionalen Quantentröge.