Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 12: Diffusion

M 12.7: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 12:00–12:15, H6

Atomistische Computersimulation der Elektromigration in Al(Cu)-Legierungen — •Camilla Schmidt, Johannes Petrus Dekker und Peter Gumbsch — Max-Planck-Institut für Metallforschung, Seestr.92, D-70174 Stuttgart

Experimentelle Lebensdaueruntersuchungen

an Al-Leiterbahnen haben gezeigt, daß durch Zusatz

von Cu, in einer Menge, welche die Löslichkeitsgrenze

übersteigt, eine Verlangsamung der durch Elektromigration

verursachten Schädigung der Leiterbahn eintritt.

Trotz zahlreicher Untersuchungen auf diesem Gebiet,

sind die atomaren Mechanismen, die dieser Beobachtung

zugrunde liegen, nicht eindeutig aufgeklärt.

In der vorliegenden Arbeit werden

mit Hilfe von Monte-Carlo Simulationen Transportvorgänge

in Al(Cu) unter Elektromigrationsbedingungen simuliert.

Die Ergebnisse weisen daraufhin, daß bei typischen

Einsatztemperaturen (100-200^∘C) eine gegen das

äußere, elektrische Feld gerichtete Diffusion

des Aluminiums auftritt, die einen entscheidenden

Enfluß auf die Lebensdauer einer Al(Cu)-Leiterbahn

ausüben kann.