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Regensburg 2000 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 11: Postersession (Eröffnung)

O 11.39: Poster

Monday, March 27, 2000, 19:00–22:00, Bereich C

Elektronische Struktur des Schichthalbleiters WS2 — •J. Augustin1, V. Eyert2,3, R. Schardin1, T. Stemmler1, S. Rogaschewski1, C. Janowitz1 und R. Manzke11Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin — 2Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin — 3Universität Augsburg, Institut für Physik, Universitätsstr. 1, 86135 Augsburg

Es wird ein Überblick über die Herstellung, Kristallstruktur und elektronische Struktur des Schichtkristalls WS2 gegeben. Die kristallinen Eigenschaften sind zum einen mittels Röntgenstrahldiffraktometrie und zum anderen mit Hilfe der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) untersucht worden. Desweiteren ist die stöchiometrische Zusammensetzung der Proben mittels energiedispersiver Röntgenmikroanalyse (EDX) analysiert worden.
Die elektronische Eigenschaften von WS2 sind sowohl experimentell als auch theoretisch betrachtet worden. Mittels winkelaufgelöster Photomissionsspektroskopie (ARPES) unter Zuhilfenahme variabler Photonenenergie als Anregungsenergie (Synchrotronstrahlung von DORIS III) konnte eine dreidimensionale Bandstruktur in den Meßrichtungen Γ A, Γ K und Γ M aufgenommen werden. Diese experimentellen Ergebnisse werden mit einer gerechneten Bandstruktur, die auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) in der lokalen Dichteapproximation (LDA) basiert, verglichen. Insbesondere konnte in Übereinstimmung die Lage des Valenzbandmaximums am Γ-Punkt bestimmt werden.

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