Regensburg 2000 – scientific programme
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SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien
SYGU 1: Hauptvorträge
SYGU 1.4: Talk
Thursday, March 30, 2000, 12:00–12:15, H4
Grenzflächenamorphisierung bei tiefen Temperaturen als Ergebnis eines elektronischen Einflusses — •Peter Häussler 1 und Christian Lauinger2 — 1Institut für Physik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz — 2LuK GmbH&Co, D- 77813 Bühl
Dampft man z.B. Fe oder Au bei tiefen Temperaturen (T=4 K bzw. 77 K) auf einkristallines Silizium oder ein anderes poyvalentes Material auf, tritt im Bereich weniger Monolagen eine Amorphisierung auf, bei der ein Teil des polyvalenten Materials konsumiert wird. Mit fortschreitender Bedampfung ändert sich die die bereits reagierte Schicht zu einer jeweils neuen, homogen amorphen Schicht höherer Konzentration an Fe bzw. Au bis zu einer Grenzkonzentration xkrit bzw. Grenzdicke des aufgedampften Materials dkrit, ab der die Schichten kristallin weiterwachsen. In diesem Beitrag wird über den mikroskopischen Mechanismus des Effektes und seine Konsequenzen für das technisch wichtige ’template’-Verfahren zur Herstellung hochqualitativer epitaktischer Schichten berichtet.