Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien
SYGU 1: Hauptvorträge
SYGU 1.7: Talk
Thursday, March 30, 2000, 12:45–13:00, H4
Reaktionen an TiO2/Ti3Al und TiO2/TiAl Grenzflächen — •Jan van Lier1, Anton Zalar2, Yonghao Zhao1, Brigitte Baretzky1 und Eric Jan Mittemeijer1 — 1Max-Planck-Institut für Metallforschung, Seestraße 92, 70174 Stuttgart, Deutschland — 2Institute of Surface Engineering and Optoelectronics, Teslova 30, 1000 Ljubljana, Slovenia
Die Anwendung von Ti-Al Legierungen, die sehr gute mechanische
Eigenschaften bei hohen Temperaturen besitzen, wird durch die schlechte
Oxidationsbeständigkeit dieser Materialien eingeschränkt. Um die bei
der Oxidation ablaufenden Reaktionen an der Metall/Oxid Grenzfläche
besser zu verstehen, wurden TiO2/Ti3Al und TiO2/TiAl
Dünnschichtsysteme wärmebehandelt. Die dabei auftretenden
strukturellen und chemischen Veränderungen wurden mit Hilfe von
Augerelektronen-Spektroskopie (AES),
Transmissions-Elektronenmikroskopie (TEM) und Röntgenbeugung (XRD)
untersucht.
In beiden Systemen wird TiO2 teilweise zersetzt und
der dabei frei werdende Sauerstoff diffundiert in die jeweilige
Ti-Al-Schicht hinein. Mittels Target-Faktor Analyse konnte gezeigt
werden, daß der Sauerstoff in der Ti3Al-Schicht homogen
gelöst ist, wohingegen sich im Innern der TiAl-Schicht Al2O3
ausbildet. An der Grenzfläche beider Systeme entsteht außerdem eine
ternäre Ti-Al-O-Phase, die mittels TEM nachgewiesen werden konnte. Der
Einfluß der Mikrostruktur auf die Ergebnisse wird diskutiert.