Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

SYGU: Grenzflächen zwischen unterschiedlichen Materialien

SYGU 2: Hauptvorträge

SYGU 2.2: Invited Talk

Thursday, March 30, 2000, 15:45–16:15, H4

Neuartige Methode zur strukturellen Untersuchung innerer Halbleiterheterogrenzflächen — •Wolfgang Stolz — Wiss. Zentrum für Materialwissenschaften und Fachbereich Physik, Philipps-Universität, 35032 Marburg

> > Der Strukturaufbau innerer Grenzflächen von III/V-Halbleiter- > > heterostrukturen ist von entscheidender Bedeutung für die > > physikalischen Eigenschaften von niedrigdimensionalen Ladungs- > > trägersystemen. Durch Kombination von höchstselektivem > > Ätzen zur Freilegung innerer, epitaktischer Grenzflächen und > > nachfolgender rasterkraftmikroskopischer Untersuchung gelingt es, > > die reale Grenzflächenstruktur insbeondere auf mesoskopischen > > Längenskalen aufzuklären. Die Möglichkeiten und Grenzen > > dieses neuen Verfahrens werden im Vergleich zu sowohl direkt > > abbildenden Oberflächen- als auch beugenden Grenzflächen- > > methoden diskutiert. Die strukturellen Eigenschaften für > > verschiedene III/V-Halbleitersysteme werden als Funktion der > > epitaktischen Herstellungsbedingungen vorgestellt und erste > > Korrelationen zu den elektronischen Eigenschaften dieser > > Heterostrukturen gezogen. > >