Regensburg 2000 – scientific programme
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 7: Postersitzung I: Amorphe- und Tunnelsysteme (1-8), Mesoskopische Systeme (9-21), Schwere Fermionen (22-32), Kernmagnetismus (33-34), Josephson-Kontakte und SQUIDs (35-45), TT-Detektoren und Kryotechnik (46-49)
TT 7.17: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:30–18:00, A
Kapazitive Kopplung zweier Al/AlOx/Al-Einzelelektronentransistoren — •S. Kaus, B. Limbach, R. Schäfer, P. vom Stein und C. Wallisser — Forschungszentrum Karlsruhe, IFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe
Wir berichten über Messungen an einem System aus zwei Einzelelektronentransistoren mit kapazitiv gekoppelten Inseln.
Erdet man die Source-Drain-Zuleitungen eines der Transistoren, so erhält man eine Einzelelektronenbox. Der zweite Transistor kann als Elektrometer verwendet werden, um den Ladungszustand der Box zu messen [1].
Die Proben wurden mit Schattenbedampfungstechnik aus Al/AlOx/Al hergestellt. Gemessen wurde der Strom durch das Elektrometer bei konstanter Source-Drain-Spannung während die Spannung am Gate der Elektronenbox variiert wurde. Wie erwartet konnte die Änderung des Ladungszustands der Elektronenbox auf der Skala einer Elementarladung beobachtet werden. Der Einfluss von Streukapazitäten wird diskutiert.
[1] P. Lafarge et al., Z. Phys. B 85, 327 (1991)