Hamburg 2001 – scientific programme
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AM: Magnetismus
AM 16: Dünne Schichten III
AM 16.7: Talk
Friday, March 30, 2001, 11:45–12:00, S 5.2
Magnetowiderstand einzelner Co-Nanodrähte — •Thorsten P. Krome, Britta Hausmanns, Günter Dumpich und Eberhard F. Wassermann — Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, Laboratorium für Experimentelle Tieftemperaturphysik, Lotharstr. 1, D-47048 Duisburg
Polykristalline Co-Nanodrähte wurden mittels Elektronenstrahllithographie (EBL) auf GaAs-Substraten bei Zimmertemperatur präpariert. Die Breite der Co-Nanodrähte wurde zwischen 200 nm und 4000 nm variiert. Der Magnetowiderstand wurde im Temperaturbereich von 1,5 K und 45 K gemessen, wobei ein Magnetfeld µ0H bis zu 4,5 T parallel und senkrecht zur Stromrichtung angelegt wurde. Das generelle Verhalten des Magnetowiderstandes läßt sich mit Hilfe des Anisotropen Magnetowiderstands (AMR) erklären. Der longitudinale in-plane Magnetowiderstand zeigt bei Schaltfeldern Hc charakteristische Strukturen, die den Beginn eines Ummagnetisierungsprozesses anzeigen. Bei Drehung des Magnetfeldes von einer Richtung parallel zur Schichtebene zu
einer Richtung senkrecht zur Schichtebene steigt das Schaltfeld Hc kontinuierlich mit dem Winkel α an. Dieses Verhalten wird im Rahmen verschiedener theoretischer Modelle zum Ummagnetisierungsverhalten von Nanodrähten diskutiert.
Gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB 491