Hamburg 2001 – scientific programme
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DF: Dielektrische Festkörper
DF 3: Rastermethoden
DF 3.4: Fachvortrag
Tuesday, March 27, 2001, 10:50–11:10, S18/19
Untersuchung von Ladungsstrukturen auf gewachsenen Flächen von photorefraktiven SBN-Kristallen mit dem Rasterkraftmikroskop — •Elisabeth Soergel1, Wolfgang Krieger2, Rainer Pankrath3 und Karsten Buse1 — 1Physikalisches Institut, Universität Bonn, Wegelerstraße 8, D-53115 Bonn — 2Max-Planck-Institut für Quantenoptik, Hans-Kopfermann Straße 1, D-85748 Garching — 3Fachbereich Physik, Universität Osnabrück, Barbarastraße 7, D-49069 Osnabrück
Durch die Messung elektrostatischer Kräfte mit dem Rasterkraftmikroskop können die in photorefraktiven Kristallen gespeicherten Ladungsverteilungen mit hoher lateraler Auflösung (≈ 30 nm) und großer Empfindlichkeit abgebildet werden. Da sich die Reichweite der Ladungsdetektion auf eine Schicht von etwa 10 nm Dicke beschränkt, ist die Beschaffenheit der zu untersuchenden Oberflächen von großer Wichtigkeit. Wir verwenden daher gewachsene Kristalloberflächen, um Schäden durch eine Politur zu vermeiden.
Wir untersuchen die Bildung und den Zerfall von lichtinduzierten Ladungsgittern auf photorefraktiven Sr0.61Ba0.39Nb2O6-Kristallen mit Cr-Dotierung. Die Oberflächen weisen Terrassen mit Stufen von einigen nm Höhe auf, die häufig mit Ladungen dekoriert sind. Bei Belichtung zeigen sich starke Kristallinhomogenitäten: Es werden Anhäufungen von ionisierten Donatoren sichtbar, deren Lebensdauer mit 30 min erheblich kürzer ist als die der gespeicherten Ladungsgitter.