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Hamburg 2001 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 10: Laserverfahren II

DS 10.1: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 11:15–11:30, S 5.1

β-FeSi2-Schichtherstellung durch Laserbestrahlung von Fe/Si-Schichten — •Steffen Wagner, Peter Schaaf und Ettore Carpene — Universität Göttingen, Zweites Physikalisches Institut, Bunsenstrasse 7/9, D-37073 Göttingen

Aufgrund seiner optoelektronischen Eigenschaften besteht ein großes Interesse an Herstellungsverfahren für β-FeSi2. Wir haben 50 nm dicke Fe-Schichten mit Hilfe einer Effusionszelle auf Si(100) aufgedampft. Um eine schnellere Analyse mittels Mößbauerspektroskopie zu ermöglichen, wurde hierfür 57Fe verwendet. Bei der anschließenden Bestrahlung mit Laserlicht der Wellenlänge 308 nm eines XeCl-Excimer-Lasers wurden die Laserparameter Energiedichte und Pulszahl variiert. Die stöchiometrische Zusammensetzung der entstandenen Schicht wurde mit Rutherford-Rückstreuspektrometrie (RBS) bestimmt. Zusätzlich zur Konversionselektronen-Mößbauerspektroskopie (CEMS) wurde für die Phasenanalyse auch Röntgenbeugung (XRD) verwendet. Die Ergebnisse zeigen mit steigender Energiedichte eine vermehrte Umwandlung der ursprünglichen α-Fe-Phase zu FeSi und β-FeSi2.

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