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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.46: Poster

Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Wachstumsuntersuchungen von Cu auf MgO(001) und H/Si(001) — •T. Mewes¹, M. Rickart¹, A. Mougin¹, S.O. Demokritov¹, J. Faßbender¹, B. Hillebrands¹ und M. Scheib² — ¹Fachbereich Physik und Schwerpunkt Materialwissenschaften, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str. 56, 67663 Kaiserslautern — ²Institut für Oberflächen- und Schichtanalytik GmbH, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str. 56, 67663 Kaiserslautern

Es wurden Röntgenstreuungs- und STM-Untersuchungen des epitaktischen Wachstums von Cu auf MgO(001) und auf Wasserstoff-terminiertem Si(001) durchgeführt. Im Fall des Si-Substrats zeigt Cu ein dreidimensionales Wachstum mit typischen Inselgrößen von 10 nm. Deponiert man Cu direkt auf MgO(001) so zeigt sich wiederum dreidimensionales Wachstum. Um glatte Cu-Oberflächen zu erhalten wurden zwei verschiedene Keimschichtsysteme untersucht: Pt und Fe/Pt. Bei einer Pt-Keimschicht wächst Cu in (111)-Orientierung. Wird jedoch eine zweilagige Keimschichtstruktur aus Fe/Pt verwendet, so wächst Cu in (001)-Orientierung. Die vergleichsweise geringe Oberflächenrauhigkeit kann durch kurzes Ausheizen weiter verringert werden.