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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.50: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Struktur und chemische Zusammensetzung von PE-MOCVD Einzel- und Multischichten — •Andreas Aschentrup1, Frank Hamelmann1, Michael Sundermann1, Kersten Dettmar2, Ulf Kleineberg1, Peter Jutzi2 und Ulrich Heinzmann11Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld — 2Universität Bielefeld, Fakultät für Chemie, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld

Zur Abscheidung dünner (<10 nm), amorpher Si, SiO2 und Mo Schichten sowie Mo/Si-Multischichten mittels Plasma Enhanced CVD kamen die Precursoren CpSi2H5, TEOS (Tetraethylorthosilikat), Mo(CO)6 und MoCl5 zum Einsatz. Die Zerlegung bei Probentemperaturen unter 250C erfolgt im Remote Plasma unter Verwendung verschiedener Plasmagase (H2, O2, N2, Ar) und -leistungen. Während der Schichtherstellung kann der Wachstumsprozess mit Hilfe der in-situ Röntgenreflektivitätsmessung kontrolliert und gesteuert werden. Die so hergestellten Schichten und Schichtsysteme werden hinsichtlich ihrer Struktur und chemischen Zusammensetzung mit Röntgenreflektivitätsmessungen, Sputter-Augerelektronenspektroskopie und hochauflösender Querschnitts-Transmissionselektronenmikroskopie charakterisiert. Ziel ist die Optimierung des Herstellungsverfahrens im Hinblick auf sehr glatte Grenzflächen (σRMS < 0,5 nm) und die Minimierung von Schichtkontaminationen, wie sie z. B. durch den Einbau von Kohlenstoffverbindungen aus Precursorfragmenten erzeugt werden.

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