Hamburg 2001 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 10.10: Talk
Monday, March 26, 2001, 17:45–18:00, S16
Sauerstoff-Deltastrukturen in Silizium — •Torsten Sulima, Johann Messarosch, Jörg Schulze, Yan Wang und Ignaz Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, 85577 Neubiberg
Es wird ein Verfahren zur Herstellung sehr dünner und temperaturbeständiger Sauerstoff-Deltastrukturen in Silizium vorgestellt. Die Belegung des Siliziums mit Sauerstoff erfolgt mit Hilfe eines ArF-Lasers bei Raumtemperatur. Im Anschluß wird die Schicht bei 900oC getempert und bei 700oC mit Silizium überwachsen. SIMS-Analysen zeigen, daß der Temperschritt keine meßbare Auswirkung auf die Sauerstoffverteilung hat. Einen Einfluß auf das Konzentrationsprofil erkennt man lediglich im Laserfleck bei Energiedichten, die ein Aufschmelzen des Siliziums nahe der Oberfläche verursachen. Die Qualität der Silizium-Schichten auf den Deltas wird mit Hilfe von RBS-Channeling Experimenten bestimmt. Das unterschiedliche Verhalten der Schichten auf den Oberflächenorientierungen (100) und (111) wird untersucht. Abschließend wird die Möglichkeit der Integration derartiger Deltastrukturen als Tunnel- beziehungsweise Diffusionsbarriere in Bauelemente der Siliziumtechnologie diskutiert.