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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.2: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 15:45–16:00, S16

Kapazitätsspektroskopie an selbstorganisierten Quantenpunkten — •A. Rack¹, R. Wetzler¹, C.M.A. Kapteyn², R. Heitz², A. Wacker¹, E. Schöll¹ und D. Bimberg² — ¹Institut für Theoretische Physik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die Kapazitätsspektroskopie an selbstorganisierten Quantenpunkten eignet sich hervorragend, um deren elektronische Niveaus genauer zu untersuchen[1]. Durch Vergleich der niederfrequenten experimentellen Kapazität-Spannungs-Kennlinien mit selbstkonsistenten Rechnungen können die Energieniveaus und die inhomogene Verbreiterung von Quantenpunkt- und Wetting-Layer-Zuständen bestimmt werden. Wir betrachten unterschiedliche Materialsysteme, wie z.B. InAs/GaAs- und Ge/Si-Quantenpunkte. Zudem wird der Einfluß einer Indium-Diffusion[2] im Fall der InAs-Quantenpunkte untersucht.

[1] R. Wetzler, A. Wacker, E. Schöll, C.M.A. Kapteyn, R. Heitz and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 77, 1671 (2000)

[2] D.M. Bruls, P.M. Koenraad, M. Skolnick, M. Hopkinson and J.H. Wolter, ICPS-25