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HL: Halbleiterphysik

HL 22: SiC

HL 22.1: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 15:30–15:45, S17

Formation und Aggregation von Antisite–Paaren in hexagonalem SiC — •E. Rauls¹, Z. Hajnal², P. Deák³ und T. Frauenheim¹ — ¹Universität Paderborn, Fachbereich Physik, Theoretische Physik, Pohlweg 55, 33095 Paderborn — ²MTA Research Institute for Technical Physics and Materials Science, P.O.B. 49, H-1525 Budapest, Hungary — ³Dept. of Atomic Physics, TU Budapest, Budafoki út 8, H-1111 Budapest, Hungary

Als intrinsische Defekte mit sehr niedrigen Formationsenergien spielen Antisites in SiC eine wichtige Rolle. Das Antisitepaar Si_C-C_Si hat darüber hinaus eine hohe Bindungsenergie, was seine Existenz sehr wahrscheinlich macht. Jedoch gibt es bislang kaum Untersuchungen über seinen Entstehungsprozess. Um einen Beitrag in dieser Richtung zu leisten haben wir verschiedene Möglichkeiten zu seiner Entstehung im 4H–SiC Bulk untersucht und die entsprechenden Formationsenergien und Diffusionsbarrieren berechnet. Dabei zeigt sich, daß die im idealen Bulk auftretenden Energiebarrieren weit zu hoch sind als daß sie die Antisite-Paar-Bildung unter üblichen experimentellen Bedingungen erklären könnten. Eine Möglichkeit zur Klärung dieser Frage wird durch das Vorhandensein anderer intrinsischer Defekte, insbesondere Vakanzen und Vakanz-Antisite-Komplexe, gegeben.
Desweiteren stellen wir erste Ergebnisse zur Untersuchung der Aggregation von Antisitepaaren vor.