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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.25: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Stöchiometrieänderungen durch selektive Leerstellenbildung auf (110)-Oberflächen von III-V-Halbleitern: Einfluß elektronischer Effekte — •U. Semmler, M. Simon, Ph. Ebert und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Die Kinetik der thermischen Bildung von Leerstellen und die daraus resultierende Änderung der Stöchiometrie auf (110)-Spaltoberflächen von III-V-Halbleitern wurde mit dem Rastertunnelmikroskop untersucht. Wir fanden, daß die Rate der spontanen Bildung von Anionenleerstellen sehr empfindlich von der Dotierung des darunter befindlichen Halbleiters und der Konzentration der Oberflächenleerstellen abhängt. Es wird gezeigt, daß die Position der Fermi-Energie an der Oberfläche der hauptsächliche elektronische Einfluß auf die Höhe der Energiebarriere für die Leerstellenbildung ist. Die Barrierenhöhen liegen in der Größenordnung von 1,1 bis 1,3 eV für GaAs und InP. Die physikalischen Faktoren, die die Leerstellenbildung und die Oberflächenstöchiometrie beeinflussen, werden detailliert diskutiert.