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HL: Halbleiterphysik
HL 36: Spinabh
ängiger Transport
HL 36.7: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 17:00–17:15, S2
Rashba Präzession in Quantendrähten mit Wechselwirkung — •Wolfgang Häusler — I. Institut für Theoretische Physik, Jungiusstr. 9, D-20355 Hamburg
Eine vielversprechende Realisierung des ‘Spintransistors’ nutzt die Präzession elektronischer Spins beim Durchqueren eines lateralen elektrischen Feldes, aufgrund der Spin–Bahn Kopplung. Bisher wurde dieser Effekt im Einteilchenbild auf die von É.I. Rashba gefundene Spinaufspaltung der Bandstruktur in der Nähe einer Oberfläche erklärt. Um Wechselwirkungseffekte zu untersuchen ist eine Vielteilchenbeschreibung erforderlich, wie sie das Modell der Tomonaga–Luttinger Flüssigkeit eines eindimensionalen Quantendrahtes ermöglicht. Wir zeigen, daß die Spingeschwindigkeit vσ der entscheidende Parameter der Rashba–Präzession ist und daß die Verringerung von vσ [1] den Einfluß einer repulsiven Wechselwirkung auf die Rashba–Präzession vollständig erfaßt. Andererseits bleibt der Ladungssektor, entgegen einem kürzlich veröffentlichten Resultat [2], von realistischen Spin–Bahn Wechselwirkungen praktisch unbeeinflußt.
[1] C.E. Creffield, Wolfgang Häusler, and A.H. MacDonald, to appear in Europhys. Lett.
[2] A.V. Moroz, K.V. Samokhin, and C.H.W. Barnes, Phys. Rev. Lett. 84, 4164 (2000)