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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Ultrakurzzeitph
änomene II

HL 41.2: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 11:45–12:00, S9/10

Exzitonenen und Biexzitonen als mesoskopische Sonden in ungeordneten (GaIn)As/GaAs–Quantenfilmen — •E. Finger, S. Kraft, M. Hofmann, T. Meier, S. W. Koch, P. Thomas, W. Stolz und W. W. Rühle — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps–Universität Marburg

Unordnung in ternären Halbleiterquantenfilmen resultiert aus Legierungsundordnung und Grenzflächenrauigkeit und beeinflusst die optischen und elektrischen Eigenschaften des Materials. Die Legierungsunordnung beruht auf statistischen Verteilung von In und Ga in (GaIn)As/GaAs–Quantenfilmen und ist von kurzer Längenskala verglichen mit dem Exziton–Bohrradius. Die Grenzflächenrauigkeit des Quantenfilms wird durch den Wachstumsprozess bestimmt und tritt in unterschiedlichsten Skalen auf. Mit Hilfe der kohärenten Anregungsspektroskopie werden Exzitonen und Biexzitonen als mesoskopische Sonden in Proben mit unterschiedlicher Grenzfläche eingesetzt.

Zur strukturellen Charakterisierung der Grenzflächenrauigkeit wird einerseits der Quantenfilm mittels einer hochselektiven Ätze freigelegt und die Grenzfläche mit einem Rasterkraftmikroskop abgetastet. Mit Hilfe der kohärenten Anregungsspektroskopie können andererseits Änderungen der Exziton- bzw. Biexzitonbindungsenergie innerhalb einer inhomogen verbreiterten Resonanz bestimmt werden. Weiterhin können die Linienbreiten der angeregten Subsysteme ausgewertet werden. Hieraus ergeben sich Korrelationen zwischen der bestimmten Unordnungsskala und den exzitonischen bzw. biexzitonischen Eigenschaften.