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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.45: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

InAs-basierte Sonden für die Raster-Hall-Mikroskopie mit sub-50-nm Auflösung — •Thomas Schweinböck, Thomas Schlegl, Joachim Stahl, Dieter Weiss und Werner Wegscheider — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Mit der Raster-Hall-Mikroskopie (SHM) können magnetische Streufelder ortsaufgelöst und ohne Beeinflussung der untersuchten Oberfläche abgebildet werden. Mit Hallsonden bestehend aus GaAs/AlGaAs-2DEG-Material konnte bereits eine Auflösung von 200 nm demonstriert werden [1,2]. Die lokale Auflösung ist durch die Abmessungen des aktiven Bereichs bestimmt. Eine weitere Verbesserung ist aufgrund der in GaAs auftretenden Verarmungszone kaum noch möglich. Für eine Erhöhung der Ortsauflösung bieten sich InAs-basierte Heterostrukturen an, da in ihnen die Fermi-Energie im Leitungsband gepinnt ist und somit keine Verarmungszonen vorhanden sind. Wir stellen erste Untersuchungen an Hallsonden mit einem 2DEG 22 nm unter der Oberfläche vor. Der aktive Bereich wurde von 100 nm bis 30 nm Durchmesser variiert. Ballistische Effekte können durch geeignete Wahl der Geometrie unterdrückt werden, um lineare B-Feld Abhängigkeit zu gewährleisten. [1] T. Schweinböck et al., JAP 87, 6496 (2000) [2] T. Schweinböck et al., wird veröffentlicht