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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Poster I
HL 7.46: Poster
Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Negative differentielle Leitfähigkeit in planaren 1D/0D/1D GaAs/AlGaAs Strukturen — •Stephan Reitzenstein, Lukas Worschech und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
Mittels hochauflösender Elektronenstrahllithographie und naßchemischem Ätzen wurden quasi nulldimensionale, an Quantendrähte gekoppelte Elektroneninseln in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Heterostrukturen hergestellt, indem ein quadratisches 180 nm breites Teilstück eines 1 µ m langen Quantendrahtes gezielt lateral versetzt wurde. Die dabei entstehenden Verbindungsstege dienen als Barrieren, deren Höhe über die Versetzungslänge kontrolliert wird. Bei geringen Versetzungslängen bildet sich in der Leitwertskurve bei G=e2/h eine Stufe aus, während für Δ > 30 nm Coulomb-Blockade auftritt. Resonantes Tunneln wurde bei Strukturen beobachtet, deren Teilstück um 180 nm versetzt war.