Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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M: Metallphysik
M 12: Grenzflächen
M 12.6: Fachvortrag
Montag, 26. März 2001, 18:30–18:45, S12
TEM- und OIM-Untersuchungen am System Al(Ga) — •S. Schmidt1, W. Sigle1, W. Gust2 und M. Rühle1 — 1MPI für Metallforschung Stuttgart, Abtlg. Rühle, Seestr. 92, 79174 Stuttgart — 2MPI für Metallforschung Stuttgart, Abtlg. Mittemeijer, Seestr. 92, 70174 Stuttgart
Die Benetzung von Korngrenzen in Aluminium durch Gallium führt bekanntlich zu einer starken Versprödung des Materials. Üblicherweise geschieht dies, indem man das polykristalline Material mit flüssigem Gallium in Kontakt bringt. Wir untersuchen derzeit, ob und wie im Aluminium gelöstes Gallium an Korngrenzen segregiert. Dazu werden unterschiedlich dotierte Al-Kristalle bei verschiedenen Temperaturen ausgelagert. Mit Hilfe der energiedispersiven Röntgenanalyse (EDXS) im Raster-Transmissionselektronenmikroskop (STEM) wird die Ga-Konzentration an einzelnen Korngrenzen vermessen. Die daraus ermittelten Segregationsenthalpien werden mit ab initio-Rechnungen verglichen. Diese Untersuchungen werden durch Texturmessungen ergänzt, die mit Hilfe der "orientational imaging"-Mikroskopie (OIM) erfolgen.
Die Autoren bedanken sich bei der DFG für die Förderung im Rahmen des Forschungsprojekts Si363/2-1.