Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 33: Postersitzung

M 33.28: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 15:15–19:00, Foyer S4, CCH

Struktur und elektronische Transporteigenshcaften von amorphen Al_100−xTM_x, Al₆2.5Cu₂5Fe₁2.5 und Al₇0.5Pd₂1Mn₈.5 Legierungen — •Barzola Quiquia Jose und Haeussler Peter — Institur für Physik, Tu Chemnitz 09107 Chemnitz

Es wird über die Konzentrations- (15<x<60)und Temperaturabhängigkeit (4K<T<350K) der Thermokraft S(T) und des Widerstandes ρ(T) von amorphen Al_100−xTM_x-Proben berichtet (TM=Mn,Fe,Co,Ni). Die Schichten werden in-situ durch abschreckende Kondensation bei 15K hergestellt. Die Strukturuntersuchungen erfolgen bei Raumtemperatur ex-situ mittels TEM. Im gesamten Konzentrationsbereich der amorphen Phase treten sehr große Werte von S(T) und ρ(T) auf, weit weg vom Modell freier Elektronen. Die Strukturuntersuchungen zeigen, daß die untersuchten Proben stark elektronisch bzw. Hume-Rothery stabilisierte Systeme sind. Um diese Stabilisierung zu optimieren, treten variable Valenzen der TM-Elemente auf, bei deren Bildung die Hybridisierung zwischen den Al_p− und TM_d− Zuständen wichtig ist. Die Transportgrößen werden im Zusammenhang mit der gemessenen atomaren Struktur diskutiert.