Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 18.4: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 12:00–12:15, M

Winkelaufgelöste Photoemission der Oberflächenrekonstruktionen von 4H-SiC(0001) — •Michael Wiets, Martin Weinelt und Thomas Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen, Germany

[(3×3), (√3×√3)R30^∘, (6√3×6√3)R30^∘] von 4H-SiC(0001) wurden mittels winkelaufgelöster Photoemissionsspektroskopie (ARUPS) untersucht. Der Übergang zwischen den einzelnen Rekonstruktionen in Abhängigkeit von der Anlaßtemperatur kann sehr gut in den ARUPS-Spektren identifiziert werden.
Schwerpunkt wurde auf die (√3×√3)R30^∘-Rekonstruktion gelegt, deren korrekte Präparation mit Hilfe von LEED und XPS verifiziert wurde. Der besetzte Oberflächenzustand dieser Rekonstruktion wurde in Normalenemission bei einer Energie von 1,02 eV unter E_Fermi detektiert und zusätzlich über einen weiten k_∥-Bereich (Γ-M-Γ-M-Γ) vermessen. Seine Dispersion zeigt die erwartete Periodizität mit einer Bandbreite von ca. 0,19 eV.
Zusätzliche Strukturen im Spektrum werden diskutiert, sowie ein Vergleich mit Untersuchungen an 6H-SiC(0001) und Messungen mittels Zweiphotonenphotoemissionsspektroskopie (2PPE) durchgeführt.