Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 27: Elektronische Struktur (III)
O 27.3: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 11:00–11:15, B
Beobachtung einer BCS-Zustandsdichte am konventionellen Supraleiter V3Si mit hochaufgelöster Photoelektronenspektroskopie — •G. Nicolay1, F. Reinert1, B. Eltner1, D. Ehm1, S. Schmidt1, S. Hüfner1, U. Probst2 und E. Bucher2 — 1Universität des Saarlandes — 2Universität Konstanz
Die apparative Weiterentwicklung in den letzten Jahren auf dem Gebiet der Photoelektronenspektroskopie (PES) ermöglicht mittlerweile die Bestimmung elektronischer Anregungen in Festkörpern auf einer Energieskala von wenigen meV. Mit Hilfe solcher, energetisch hochaufgelöster PES-Messungen konnte der Phasenübergang des konventionellen Supraleiters V3Si (TC ≈ 17 K) vom normal- in den supraleitenden Zustand beobachtet werden. Die endliche Probentemperatur (TProbe ≈ 9 K) während der Messung der supraleitenden Phase führt auch zu einer merklichen Besetzung der Zustände oberhalb des supraleitenden Gaps. Dadurch wird in den PES-Daten sowohl die Intensitätserhöhung unterhalb des Gaps (E < EF, EF: Fermienergie) wie auch oberhalb davon (E > EF) direkt sichtbar. Ein quantitativer Vergleich der experimentellen Spektren mit der BCS-Theorie zeigt hervorragende Übereinstimmung und bestätigt den Zusammenhang zwischen Gapgröße und Übergangstemperatur (TC) im "weak coupling Limit" .