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O: Oberflächenphysik
O 32: Epitaxie und Wachstum (II)
O 32.3: Talk
Thursday, March 29, 2001, 16:00–16:15, C
Der Einfluss von Interfactants auf das Wachstum von Pb auf Si(111) — •Thomas Schmidt1, Barbara Ressel2, Stefan Heun2 und Ernst Bauer3 — 1Universität Würzburg, Experimentelle Physik II, Am Hubland, 97074 Würzburg — 2ELETTRA, Sincrotrone Trieste, Italien — 3Arizona State University, USA
Das kontrollierte Wachstum von dünnen Pb-Filmen auf Si(111) Oberflächen wurde mit dem SPELEEM (Spectroscopic Photoemission and low energy electron microscope) untersucht. Dieses Geraet stellt eine ideale Kombination von Mikroskopie (LEEM, XPEEM), Beugung (LEED, PED) und Spektroskopie dar. um sowohl die Topographie, die Struktur als auch die chemische Zusammensetzung einer Oberfläche zu charakterisieren.