Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 38: Adsorption an Oberfl
ächen (IV)

O 38.3: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 11:45–12:00, C

Adsorption von Ethylen auf flachen und gestuften Si(100)- und Ge/Si(100)-Oberflächen — •D. Bröcker, D. Menzel und W. Widdra — Physik-Department E 20, Technische Universität München, D-85747 Garching

Ethylen bildet auf Si(100)-(2×1) eine wohlgeordnete di-σ-gebundene Adsorbatschicht aus. Durch winkelaufgelöste Photoemissionsspektroskopie unter Verwendung von Synchrotronstrahlung wurde eine 1D-Bandstruktur zweier Ethylenorbitale auf gestuftem, eindomänigen Si(100) entlang der Dimerreihen beobachtet [1]. Für Ethylen auf einer Ge-Monolage auf Si(100) finden wir eine ähnliche Ethylendispersion mit jedoch reduzierter Dispersionsbreite, was auf einen erhöhten lateralen Molekülabstand schliessen läßt. Dies schließt eine pseudomorphe Ge-Monolage auf Si(100) aus, kann aber aufgrund einer lateralen Relaxation der Ge-Ge-Dimere entlang der Reihen zugunsten von “missing dimer lines” verstanden werden. Durch Vergleich von TPD-Daten der 4^∘ in [100]-Richtung fehlgeschnittenen und der flachen, zweidomänigen Si(100)-Oberfläche konnte eine Stufenspezies identifiziert werden. In beiden Fällen hat die Präparation einen erheblichen Einfluss auf den Zustand des Adsorbatsystems, wobei sich zwischen den verschiedenen Adsorbatspezies, aufgrund der geringen Mobilität der Moleküle auf der Oberfläche, kein thermisches Gleichgewicht einstellt.

[1] W. Widdra et al., Phys. Rev. Lett. 80, 4269(1998).