Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 5: Oberfl
ächenreaktionen (I)
O 5.6: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 12:30–12:45, M
Wachstum und Stöchiometrie von TiOx Filmen auf einer Re(10-10)-Oberfläche — •Dirk Rosenthal, Tamerlan T. Magkoev, Klaus Christmann und Sven L.M. Schroeder — Institut für Chemie, FU Berlin, Takustr. 3, 14195 Berlin
Das Wachstum und die Stöchiometrie von TiOx Filmen auf Re(10-10) wurden mittels Ionenstreuung und Photoelektronenspektroskopie untersucht. Abhängig von der Substrattemperatur zeigten sich unterschiedliche Wachstumsmodi: Ultradünne (2 ML) Titanoxidfilme der ungefähren Stöchiometrie TiO wachsen bei einer Substrattemperatur von 810 K in zweidimensionalen Inseln mit anschließendem dreidimensionalen Wachstum auf. Dünne Titanoxidfilme (mehr als 6 ML) hingegen zeigen bei Raumtemperatur lagenweises Wachstum mit gering ausgeprägter Neigung zur Inselbildung. Durch Variation der Aufdampfparameter Substrattemperatur, Aufdampfreihenfolge, Sauerstoffpartialdruck konnten TiOx-Filme mit unterschiedlicher Zusammensetzung an Tix+-Spezies hergestellt werden. Oxidation einer 6 ML dicken Titanschicht in 10−7 mbar Sauerstoff ergab eine Zusammensetzung an Ti2+ : Ti3+ : Ti4+ von 2 : 1 : 2, Aufdampfen von Titan in derselben Sauerstoffatmosphäre ein Verhältnis von 3 : 5 : 5.