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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW VI: HV VI

SYRW VI.1: Invited Talk

Thursday, March 29, 2001, 18:00–18:30, B

Defekte in III-V-Halbleiteroberflächen — •Ph. Ebert — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Die elektrischen Eigenschaften von III-V-Halbleitern und deren Schichtsystemen werden ganz wesentlich von Punktdefekten und Dotier- atomen beeinflußt, die während der Herstellungs- und Wachstumsprozeduren gezielt, aber manchmal auch unkontrolliert, eingebaut werden. Deshalb ist es notwendig, die atomaren Vorgänge bei der Bildung von Punktdefekten und beim Einbau von Dotieratomen im Detail zu verstehen, um letztendlich atomar maßgeschneiderte Materialien reproduzierbar herstellen zu können. Punktdefekte und Dotieratome sind jedoch nur schwer direkt zugänglich. Insbesondere bereitet ihre atomare Identifizierung bei gleichzeitiger Messung ihrer Konzentrationen häufig Probleme. Einen direkten Zugang zu Punktdefekten und Dotieratomen ermöglicht bei III-V Halbleitern die Querschnittsrastertunnelmikroskopie, bei der Punktdefekte und Dotieratome im Kristallinneren auf einer (110)-Spaltoberfläche freigelegt und direkt mit dem Rastertunnelmikroskop atomar aufgelöst abgebildet werden. Dies erlaubt, Konzentrationen von Punktdefekten und Dotieratomen mit gleichzeitiger atomarer Defekt-Identifizierung zu messen. Im Rahmen dieses Vortrages wird anhand von ausgewählten Beispielen gezeigt, daß daraus die atomaren Vorgänge und physikalischen Effekte bei der Bildung von Defekten, beim Einbau und der Kompensation von Dotieratomen sowie bei Defektwechselwirkungen an Oberflächen wie auch im Kristallinneren ermittelt werden können.