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Q: Quantenoptik

Q 111: Laser I

Q 111.1: Talk

Monday, March 4, 2002, 14:00–14:15, HS 22/B01

Ein kompakter leistungsverstärkter Halbleiterlaser bei 850-880 nm für die Resonanzionisations-Massenspektrometrie — •Philipp Schumann, Christopher Geppert, Peter Müller und Klaus Wendt — Institut für Physik, Johannes Gutenberg-Universität Mainz

Zum Einsatz der hochauflösenden resonanten Laserionisations-Massenspektrometrie in der isotopenselektiven Ultraspurenanalyse werden am Institut für Physik der Johannes Gutenberg-Universität Mainz leistungsstarke kontinuierliche Laser mit Frequenzbreiten von < 5 MHz benötigt. Für den Aufbau einer preisgünstigen und kompakten Apparatur sind Diodenlaser mit externen Gitterresonatoren prädestiniert. Um die gewöhnlichen Leistungsbeschränkungen dieser Systeme überwinden zu können, wurde zur Leistungsverstärkung ein Injection-Locking-System für den Wellenlängenbereich 850-880 nm aufgebaut. Das beschriebene Lasersystem zeichnet sich durch seine kompakte Bauweise aus und arbeitet mit leicht austauschbaren, kommerziell erhältlichen Laserdioden für Master- und geseedeten Slave-Laser. Gegenwärtig wird bei Einsatz einer 0.5 W Verstärkerdiode eine Ausgangsleistung von 260 mW bei einer Frequenzbreite < 2.5 MHz in einem kompakten Strahlprofil erreicht. Die modensprungfreie Durchstimmbarkeit beträgt > 3 GHz. Diese Werte können durch eine stärkere Entspiegelung der Verstärkerdiode noch verbessert werden.