Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 6: Poster

DF 6.4: Poster

Mittwoch, 13. März 2002, 14:30–18:00, Poster Chemie C

Frequenzabhängiges Verhalten der elektrischen Eigenschaften dünner Filme aus Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ und BaTiO₃ auf Si(100) und CoSi₂/Si(100)-Heterostrukturen — •Martin Schmid, Opas Trithaveesak, Willi Zander, Stephan Winnerl, Markus Siegert, Jürgen Schubert und Christoph Buchal — ISG1-IT, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52428 Jülich

Perovskitartige Verbindungen wie Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ (BST) und BaTiO₃ (BTO) sind wegen ihre hohen Dielektrizitätskonstante und ihrer Ferroelektrizität auch für den Einsatz in der Mikroelektronik interessant. Wir untersuchen das frequenzabhängige Verhalten ihrer elektrischen Eigenschaften. Dazu haben wir mittels Laserablation (PLD) dünne Schichten ( 50 nm) von BST und BTO auf Silizium(100) und CoSi₂(100) bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden. Die stöchiometrischen und strukturellen Eigenschaften wurden mittels RBS, XRD und TEM charakterisiert. Für die Untersuchung der elektrischen Eigenschaften wurden Kontaktpads aus Cr/Au aufgedampft, um vertikale Plattenkondensatoren zu erzeugen. Diese Kondensatoren wurden mittels eines HP Impedance Analyzer in einem Frequenzbereich zwischen 10 Hz und 10 MHz analysiert. Des weiteren wurde der Einfluß von Licht auf das Frequenzverhalten der Schichten bestimmt.