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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster 1
HL 11.92: Poster
Monday, March 11, 2002, 17:00–19:30, Poster A
Degradation von GaInP/AlGaInP-Quantenfilm-Lasern — •Liwei Fu, Stefan Schmid, Rainer Butendeich, Markus Ost, Ferdinand Scholz und Heinz Schweizer — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart
Die Degradation und Lebensdauer von 670 nm 4 µm Rippenwellenleiterlasern wurde bei Raumtemperatur untersucht. Zwei Hauptmechanismen, die die Lebensdauer der Laser begrenzt wurden gefunden: Facetteoxidation und P-Dotierstoffdiffusion.
Unbeschichtete Laser zeigten eine Lebensdauer nur von 30-50 Stunden, welche im wesentlichen durch Facettedegradation begrenzt wurde. Die mit SiNx-λ/2-Filmen beschichteten 670 nm Laser, degradierten bei 4.5 mW, zeigten eine Lebensdauer von 1200 Stunden und extrapoliert 10000 Stunden. Die Untersuchen ergaben weiter, daß die Lebensdauer auch von beschichteten Lasern durch die Diffusion der P-Dotierung begrenzt wurde. Während der Degradation veränderten sich der Quantenwirkungsgrad, die Wellenlänge, die Spannungen im Nieder- und Hochstrombereich der Laserdiode, sowie der Seriewiderstand. Wir diskutieren dieses Degradationsverhalten gemäß der auftretenden Veränderungen im Resonator.